在现代集成电路制造中，离子植入是一项非常重要的技术，其基本原理是：用能量为100keV量级的离子束入射到材料中去，离子束与材料中的原子或分子将发生一系列物理的和化学的相互作用，入射离子逐渐损失能量，停留在材料中，并引起材料表面成分、结构和性能发生变化，从而优化材料表面性能，或获得某些新的优异性能。

由于在离子源转换为电浆离子时，会产生2000℃以上的工作温度，离子束喷发时，也会产生很大的离子动能，一般金属会很快烧熔，因此需要质量密度较大的惰性金属，以维持离子束喷发方向，并增加组件耐用度，钨钼是必选材料。由于钨钼材料高温化学性质稳定、热变形小和使用寿命长等优点，因此半导体行业离子注入机离子源件及耗件多采用钨、钼材料制造，这些器件包括发射电子阴极的屏蔽筒、弧光室，灯丝夹等。

与传统钨钼材料相比，离子植入用钨钼材料密度更高，晶粒更细，耐高温及抗蠕变性能更强。